5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2N5460
2N5460 PDF预览

2N5460

更新时间： 2024-11-24 22:49:23
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
4页 120K
描述
CASE 2904, STYLE 7 TO92 (TO226AA)

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N5460 数据手册

 浏览型号2N5460的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N5460的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N5460的Datasheet PDF文件第4页 
Order this document  
by 2N5460/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
P–Channel — Depletion  
2 DRAIN  
3
GATE  
1 SOURCE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Gate Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
V
DG  
40  
40  
10  
Vdc  
Vdc  
Reverse Gate–Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
I
GSR  
1
mAdc  
G(f)  
2
3
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
A
D
CASE 29–04, STYLE 7  
TO–92 (TO–226AA)  
Junction Temperature Range  
Storage Channel Temperature Range  
T
–65 to +135  
–65 to +150  
°C  
°C  
J
T
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
40  
—
—
Vdc  
(BR)GSS  
(I = 10 µAdc, V  
= 0)  
2N5460, 2N5461, 2N5462  
G
DS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
(V  
GS  
(V  
GS  
(V  
GS  
(V  
GS  
= 20 Vdc, V  
= 30 Vdc, V  
= 20 Vdc, V  
= 30 Vdc, V  
= 0)  
2N5460, 2N5461, 2N5462  
2N5460, 2N5461, 2N5462  
—
—
—
—
5.0  
1.0  
nAdc  
DS  
DS  
DS  
DS  
= 0)  
= 0, T = 100°C)  
= 0, T = 100°C)  
µAdc  
A
A
Gate–Source Cutoff Voltage  
(V = 15 Vdc, I = 1.0 µAdc)  
2N5460  
2N5461  
2N5462  
V
0.75  
1.0  
1.8  
—
—
—
6.0  
7.5  
9.0  
Vdc  
Vdc  
GS(off)  
DS  
D
Gate–Source Voltage  
V
GS  
(V  
DS  
(V  
DS  
(V  
DS  
= 15 Vdc, I = 0.1 mAdc)  
2N5460  
2N5461  
2N5462  
0.5  
0.8  
1.5  
—
—
—
4.0  
4.5  
6.0  
D
= 15 Vdc, I = 0.2 mAdc)  
D
= 15 Vdc, I = 0.4 mAdc)  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
2N5460  
2N5461  
2N5462  
I
–1.0  
–2.0  
–4.0  
—
—
—
–5.0  
–9.0  
–16  
mAdc  
mhos  
DSS  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 kHz)  
GS  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Forward Transfer Admittance  
2N5460  
2N5461  
2N5462  
y
1000  
1500  
2000  
—
—
—
4000  
5000  
6000  
fs  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 kHz)  
GS  
Output Admittance (V  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 kHz)  
y
—
—
—
—
75  
7.0  
2.0  
mhos  
pF  
DS  
GS  
os  
Input Capacitance (V  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 MHz)  
= 0, f = 1.0 MHz)  
C
5.0  
1.0  
DS  
GS  
iss  
rss  
Reverse Transfer Capacitance (V  
= 15 Vdc, V  
C
pF  
DS  
GS  
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS  
Noise Figure  
NF  
—
—
1.0  
60  
2.5  
dB  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0, R = 1.0 Megohm, f = 100 Hz, BW = 1.0 Hz)  
GS G  
Equivalent Short–Circuit Input Noise Voltage  
(V = 15 Vdc, V = 0, f = 100 Hz, BW = 1.0 Hz)  
e
n
115  
nV Hz  
DS  
GS  
Motorola, Inc. 1997  
1234

中文翻译

下载PDF

2N5460 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N5461_D26Z FAIRCHILD

功能相似

 P-Channel General Purpose Amplifier
2N5461 FAIRCHILD

功能相似

 P-Channel General Purpose Amplifier

与2N5460相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5460/D ETC

获取价格

 		JFET Amplifier P-Channel
2N5460/D26Z TI

获取价格

 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5460/D28Z TI

获取价格

 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5460/D29Z TI

获取价格

 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5460/D74Z TI

获取价格

 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5460/D81Z TI

获取价格

 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5460/D89Z TI

获取价格

 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5460/J05Z TI

获取价格

 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5460/J18Z TI

获取价格

 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
2N5460_06 ONSEMI

获取价格

 		JFET Amplifier P−Channel − Depletion

与2N5460相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证