Datasheet > 2N5428A

2N5428A

更新时间： 2024-11-09 07:28:51

品牌	Logo	应用领域
SEME-LAB		晶体晶体管开关局域网
页数	文件大小	规格书
2页	22K
描述
MEDIUM POWER NPN SILICON

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N5428A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2N5428A 数据手册

2N5428A

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

MEDIUM POWER

NPN SILICON

TRANSISTOR

6.35 (0.250)

8.64 (0.340)

3.68

(0.145) rad.

max.

3.61 (0.142)

3.86 (0.145)

rad.

Des igned for s witching and

wide - band amplifier

applications

1.27 (0.050)

1.91 (0.750)

4.83 (0.190)

5.33 (0.210)

9.14 (0.360)

min.

TO66 Package.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T

=25°C unless otherwise stated)

case

V_CEO

V_CB

V_EB

I_C

Collector - emitter voltage

Collector - base voltage

Emitter - base voltage

80 V

6 V

Collector current – continuous

Base current

7 A

I_B

1 A

P_D

Total device dissipation at T_case= 25°C

Derate above 25°C

40 W

228 mW / °C

T_j

Operating and

-65 to 200°C

4.37 °C / W

T_stj

storage junction temperature range

Thermal resistance, junction to case.

Semelab plc. Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail: sales@semelab.co.uk Website: http://www.semelab.co.uk

Prelim. 7/93

中文翻译

下载PDF

与2N5428A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5428LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2
2N5429	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2N5429	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(7A,40W)
2N5429	CENTRAL	获取价格	Power Transistors
2N5429	NJSEMI	获取价格	COLLECTOR EMITTER VOLTAGE
2N5429	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Power Transistor
2N5429	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66
2N5429LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2
2N542A	NJSEMI	获取价格	SI NPN LO-PWR BJT
2N543	NJSEMI	获取价格	TRANSITRON