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2N5429

更新时间： 2024-02-25 18:19:51

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SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	116K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5429 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	TO-66, 2 PIN	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.24
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	100 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN (315)
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

2N5429 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N5427 2N5429

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Excellent safe operating area

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For switching and wide-band

amplifier applications.

PINNING(see Fig.2)

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

Collector

Absolute maximum ratings(Ta=ꢀ )

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

VALUE

UNIT

2N5427

2N5429

2N5427

2N5429

100

V_CBO

Collector-base voltage

Open emitter

V_CEO

Collector-emitter voltage

Open base

100

V_EBO

I_C

Emitter-base voltage

Collector current

Open collector

ꢀ

I_B

Base current

P_D

T_j

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

200

-65~200

T_stg

ꢀ

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

R_{th j-c}

Thermal resistance junction to case

4.37

ꢀ/W

12 3

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与2N5429相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N5429LEADFREE	CENTRAL	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2	获取价格
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