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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.15 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 |
| JEDEC-95代码： | TO-66 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 60 MHz | VCEsat-Max： | 0.7 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5428A | SEME-LAB |
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MEDIUM POWER NPN SILICON |
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| 2N5428LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 2N5429 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
|
| 2N5429 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
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| 2N5429 | CENTRAL |
获取价格 |
Power Transistors |
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| 2N5429 | NJSEMI |
获取价格 |
COLLECTOR EMITTER VOLTAGE |
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| 2N5429 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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| 2N5429 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 |
|
| 2N5429LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 |
|
| 2N542A | NJSEMI |
获取价格 |
SI NPN LO-PWR BJT |
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