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2N5401/T1

更新时间： 2024-02-22 00:37:46

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	216K
描述
150V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18, ROHS COMPLIANT, LCC-3

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2N5401/T1 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LCC
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JEDEC-95代码：	TO-18
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e4
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	GOLD
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N5401/T1 数据手册

2N5401HR

Electrical characteristics

T_case= 25 °C unless otherwise specified.

Table 5.

Symbol

Electrical characteristics

Parameter

Test conditions

Min. Typ. Max. Unit

V_CB= -120 V

-50

µA

Collector-base cut-off

current (I_E= 0)

I_CBO

T_C= 150 °C

Emitter-base cut-off

current (I_C= 0)

I_EBO

V_EB= -3 V

-50

Collector-base

breakdown voltage

V_(BR)CBO

I_C= -100 µA

-160

-150

-5

(I_E= 0)

Collector-emitter

breakdown voltage

(1)

V_(BR)CEO

I_C= -1 mA

I_E= -10 µA

(I_B= 0)

Emitter-base

breakdown voltage

V_(BR)EBO

(I_C= 0)

I_C= -10 mA

I_C= -50 mA

I_B= -1 mA

I_B= -5 mA

-0.2

-0.5

Collector-emitter

saturation voltage

(1)

V_CE(sat)

I_C= -10 mA

I_C= -50 mA

I_B= -1 mA

I_B= -5 mA

-1

Base-emitter

saturation voltage

(1)

V_BE(sat)

I_C= -1 mA

V_CE= -5 V

I_C= -10 mA

I_C= -50 mA

I_C= -10 mA

T_amb= -55 °C

240

(1)

h_FE

DC current gain

V_CE= -10 V

f = 10 kHz

I_C= -10 mA

f = 1 MHz

Small signal current

gain

h_fe

Output capacitance

(I_E= 0)

C_obo

V_CB= -10 V

1. Pulsed duration = 300 µs, duty cycle ≤ 2 %

Doc ID 16934 Rev 3

3/10

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