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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.64 | 基于收集器的最大容量： | 6 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 150 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 60 | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | VCEsat-Max： | 0.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2N5401G | ONSEMI |
功能相似  |
Amplifier Transistors PNP Silicon |
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| 2N5401 | ONSEMI |
功能相似 |
Amplifier Transistors |
|
| 2N5401RLRAG | ONSEMI |
功能相似 |
Amplifier Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N5401C_00 | KEC |
获取价格 |
TO-92 PACKAGE |
|
| 2N5401-C-AB3-B | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N5401-C-AB3-K | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N5401-C-AB3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N5401CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 |
|
| 2N5401-C-T92-B | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N5401-C-T92-K | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N5401-C-T92-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
|
| 2N5401D27Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
| 2N5401D74Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, |
|
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