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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N5401G
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2N5401G

更新时间： 2024-01-24 16:09:42
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 180K
描述
Amplifier Transistor(PNP Silicon)

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2N5401G 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.64基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：150 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.5 V
Base Number Matches：1

2N5401G 数据手册

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by 2N5400/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
*Motorola Preferred Device  
COLLECTOR  
3
2
BASE  
1
EMITTER  
1
2
3
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol 2N5400 2N5401  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 1  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
120  
130  
150  
160  
Vdc  
5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
600  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watts  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
(1)  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
V
Vdc  
(BR)CEO  
(I = 1.0 mAdc, I = 0)  
2N5400  
2N5401  
120  
150  
—
—
C
B
Collector–Base Breakdown Voltage  
(I = 100 Adc, I = 0)  
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CBO  
2N5400  
2N5401  
130  
160  
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = 10 Adc, I = 0)  
V
5.0  
—
(BR)EBO  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
(V  
CB  
(V  
CB  
= 100 Vdc, I = 0)  
2N5400  
2N5401  
2N5400  
2N5401  
—
—
—
—
100  
50  
100  
50  
nAdc  
E
= 120 Vdc, I = 0)  
E
= 100 Vdc, I = 0, T = 100°C)  
µAdc  
E
A
A
= 120 Vdc, I = 0, T = 100°C)  
E
Emitter Cutoff Current  
(V = 3.0 Vdc, I = 0)  
I
—
50  
nAdc  
EBO  
EB  
C
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N5401G-A-T92-A-K UTC

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2N5401G-A-T92-K UTC

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