Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N5401-A-AB3-K

2N5401-A-AB3-K

更新时间： 2024-01-22 11:52:44

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友顺 - UTC		晶体开关晶体管高压
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描述
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

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2N5401-A-AB3-K 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-89
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.13
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	150 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

2N5401-A-AB3-K 数据手册

Transys

Electronics

I M I T E D

TO-92 Plastic-Encapsulated Transistors

TO-92

2N5401 TRANSISTOR (PNP)

FEATURE

Power dissipation

P_CM: 0.625 W (Tamb=25℃)

Collector current

I_CM: - 0.6

Collector-base voltage

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

1 2 3

V_(BR)CBO: -160 V

Operating and storage junction temperature range

T_J, T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test conditions

MIN

-160

-150

-5

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Ic= -100 µA, I_E=0

Ic= -1 mA, I_B=0

I_E= -10 µA, I_C=0

V_CB= -120 V, I_E=0

V_EB= -4 V, I_C=0

-0.1

µA

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE(1)

V_CE= -5 V, I_C=-1 mA

V_CE= -5 V, I_C= -10 mA

V_CE= -5 V, I_C=-50 mA

I_C= -50 mA, I_B= -5 mA

V_CE=-5V, I_C=-10mA

f =30MHz

DC current gain

h_FE(2)

250

h_FE(3)

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

-0.5

-1

Transition frequency

100

MHz

f_T

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