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2N5366

更新时间： 2024-02-28 00:32:37
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 62K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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2N5366 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.46基于收集器的最大容量：8 pF
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.25 V

2N5366 数据手册

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2N5366  
PNP General Purpose Amplifier  
•
This device is designed for general purpose amplifiers applications at  
collector currents to 300mA.  
•
Sourced from process 68.  
TO-92  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector current  
CEO  
40  
V
CBO  
EBO  
4.0  
V
I
- Continuous  
500  
mA  
°C  
C
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ +150  
J
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
40  
Typ.  
Max. Units  
V
I
I
I
= 10µA  
= 10mA  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
CBO  
CES  
EBO  
C
C
C
V
V
40  
= 10µA  
= 40V  
= 40V  
= 4.0V  
4.0  
I
I
I
V
V
V
100  
100  
10  
nA  
nA  
CB  
CB  
EB  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
µA  
h
DC Current Gain  
V
V
V
= 10V, I = 2.0mA  
80  
100  
40  
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 1.0V, I = 50mA  
300  
C
= 5.0V, I = 300mA  
C
V
V
V
(sat)  
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
I
I
= 50mA, I = 2.5mA  
0.25  
1.0  
V
CE  
BE  
BE  
C
C
B
= 300mA, I = 30mA  
B
I
I
= 50mA, I = 2.5mA  
1.1  
2.0  
C
C
B
= 300mA, I = 30mA  
B
Base-Emitter On Voltage  
Output Capacitance  
V
V
V
V
= 10V, I = 2.0mA  
0.5  
80  
0.8  
8.0  
35  
V
CE  
CB  
CB  
CE  
C
C
C
= 10V, f = 1MHz  
= 0.5V, f = 1MHz  
pF  
pF  
ob  
ib  
Input Capacitance  
h
Small-Signal Current Gain  
= 10V, I = 2.0mA, f = 1MHz  
450  
fe  
C
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
A
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
mW  
mW/°C  
°C/W  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
D
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
θJA  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, July 2002  
1234

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