BC559B

更新时间： 2024-11-24 22:48:15

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
2页	89K
描述
Si-Epitaxial PlanarTransistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC559B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	1.58	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-W3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

BC559B 数据手册

BC 556 ... BC 559

PNP

General Purpose Transistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistors

Power dissipation – Verlustleistung

500 mW

Plastic case

TO-92

(10D3)

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

0.18 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Pinning

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

1 = C 2 = B 3 = E

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 556

65 V

80 V

BC 557

45 V

50 V

BC 558/559

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Junction temp. – Sperrschichttemperatur

B open

E open

C open

- V_CE0

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

- I_C

T_j

30 V

5 V

500 mW ¹)

100 mA

150ꢀC

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_S

- 55…+ 150ꢀC

Characteristics (T_j= 25ꢀC)

Kennwerte (T_j= 25ꢀC)

Group A

Group B

Group C

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

h_FE

110...220

200...460

420...800

h-Parameters at - V_CE= 5V, - I_C= 2 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain

h_fe

typ. 220

typ. 330

typ. 600

Stromverstärkung

Input impedance – Eingangsimpedanz

Output admittance – Ausg.-Leitwert

h_ie

h_oe

1.6...4.5 kꢀ

18 < 30 ꢁS

3.2...8.5 kꢀ

30 < 60 ꢁS

6...15 kꢀ

60 < 110 ꢁS

Reverse voltage transfer ratio

Spannungsrückwirkung

Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspg.

- I_C= 100 mA, - I_B= 5 mA -V_CEsat

h_re

typ.1.5 *10^-4

typ. 2 *10^-4

typ. 3 *10^-4

300 mV

–

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 2 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

01.11.2003

中文翻译

下载PDF

BC559B 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5366	FAIRCHILD	功能相似	PNP General Purpose Amplifier
BC559B	ONSEMI	功能相似	Low Noise Transistors
BC559B	FAIRCHILD	功能相似	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

与BC559B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC559-B	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
BC559B/D10Z	TI	获取价格	30V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC559B/D26Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC559B/D27Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC559B/D74Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC559B/D75Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC559B/E6	VISHAY	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A
BC559B/E7	VISHAY	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-226A
BC559B/L34Z	TI	获取价格	PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC559B18	MOTOROLA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

与BC559B相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC559B

BC559B 技术参数

BC559B 数据手册

BC559B 替代型号

与BC559B相关器件

与BC559B相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC559B

BC559B 技术参数

BC559B 数据手册

BC559B 替代型号

与BC559B相关器件

与BC559B相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？