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2N5321

更新时间： 2024-01-02 09:54:25

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美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	432K
描述
Medium Power Silicon NPN Planar Transistor

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2N5321 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	200 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

2N5321 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2N5321

Micro Commercial Components

Features

Medium Power

Silicon NPN

Planar Transistor

V_CEO=50V

I_CM=2A

Ptot=1.0W (Tamb=25

^OC

)

•

Rth(jc)max=17.5^OC/W, Rth(ja)max = 175^OC/W

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

M^Ra^ox^Hi^Sm^Cou^mm^pliaR^nt.a^St^ei^en^og^rds^{ering information)}

TO-39

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

VCEV

I_C

Rating

5.0

1200

-65 to +200

Unit

^OC

Collector-Emitter Voltage(IB=0)

Collector-Base Voltage(IE=0)

Emitter-Base Voltage(IC=0)

Collector-Emitter Voltage(VBE=1.5v)

Collector Current

T_J

T_STG

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V(BR)CEO*

Collector-Emitter Breakdown Voltage

---

(I =10mA, I_B=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_(BR)CEV

(I =0.1mA, VBE=1.5V))

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

5.0

---

(I =0.1mA, I_C=0)

V_{BE(Note 2)}

Base-Emitter Voltage

---

1.4

(I =500mA, Vce=4V)

I_CBO

I_EBO

Collector-Base Cut-off Current

(V_CB=60V, I_E=0)

Emitter-Base Cut-off Current

---

5.0

0.5TYP

(V_EB=4.0V, I =0)

ON CHARACTERISTICS

DIMENSIONS

h_FE*

V_CE(sat)

f_T

250

---

DC CURRENT

GAIN

INCHES

MIN

(I =0.5A, V_CE=4V)

DIM

MAX

MIN

MAX

9.40

NOTE

Collector-Emitter Saturation Voltage

---

0.8

.335

.370

.334

.260

-----

8.509

-----

(I =500mA, I_B=50mA)

8.50

6.60

-----

.50

Transistion Frequency

---

MH_Z

12.7

(V_CE=4V, I =0.05A, f=10MH_Z)

.200

5.08

Turn-On Time

TON

.029

-----

.009

44°

.028

.016

.045

.050

.031

46°

7.366

-----

0.229

44°

11.43

1.27

7.874

46°

0.864

0.533

(IC=500mA Vcc=30V IB1=50mA)

Turn-Off Time

TOFF

800

(Ic=500mA Vcc=30V Ib1=-Ib2=50mA)

.034

.021

0.711

0.406

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

2.Pulsed: Pulse duration = 300us, duty cycle = 1 %

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5321-BP	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
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2N5322	SEME-LAB	获取价格	HIGH SPEED MEDIUM VOLTAGE SWITCHES
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2N5322	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors
2N5322	NJSEMI	获取价格	SI PNP POWER BJT
2N5322	ASI	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-39, 3
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