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2N5321-BP

更新时间： 2024-01-13 16:08:22

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	426K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

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2N5321-BP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-39	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.37
最大集电极电流 (IC)：	1.2 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	50 MHz	最大关闭时间（toff）：	800 ns
最大开启时间（吨）：	80 ns	Base Number Matches：	1

2N5321-BP 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2N5321

Micro Commercial Components

Features

Medium Power

Silicon NPN

Planar Transistor

V_CEO=50V

I_CM=2A

Ptot=1.0W (Tamb=25

^OC

)

•

Rth(jc)max=17.5^OC/W, Rth(ja)max = 175^OC/W

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

M^Ra^ox^Hi^Sm^Cou^mm^pliaR^nt.a^St^ei^en^og^rds^{ering information)}

TO-39

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

VCEV

I_C

Rating

5.0

1200

-65 to +200

Unit

^OC

Collector-Emitter Voltage(IB=0)

Collector-Base Voltage(IE=0)

Emitter-Base Voltage(IC=0)

Collector-Emitter Voltage(VBE=1.5v)

Collector Current

T_J

T_STG

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V(BR)CEO*

Collector-Emitter Breakdown Voltage

---

(I =10mA, I_B=0)

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V_(BR)CEV

(I =0.1mA, VBE=1.5V))

V(BR)EBO

Emitter-Base Breakdown Voltage

5.0

---

(I =0.1mA, I_C=0)

V_{BE(Note 2)}

Base-Emitter Voltage

---

1.4

(I =500mA, Vce=4V)

I_CBO

I_EBO

Collector-Base Cut-off Current

(V_CB=60V, I_E=0)

Emitter-Base Cut-off Current

---

5.0

0.5TYP

(V_EB=4.0V, I =0)

ON CHARACTERISTICS

DIMENSIONS

h_FE*

V_CE(sat)

f_T

250

---

DC CURRENT

GAIN

INCHES

MIN

(I =0.5A, V_CE=4V)

DIM

MAX

MIN

MAX

9.40

NOTE

Collector-Emitter Saturation Voltage

---

0.8

.335

.370

.334

.260

-----

8.509

-----

(I =500mA, I_B=50mA)

8.50

6.60

-----

.50

Transistion Frequency

---

MH_Z

12.7

(V_CE=4V, I =0.05A, f=10MH_Z)

.200

5.08

Turn-On Time

TON

.029

-----

.009

44°

.028

.016

.045

.050

.031

46°

7.366

-----

0.229

44°

11.43

1.27

7.874

46°

0.864

0.533

(IC=500mA Vcc=30V IB1=50mA)

Turn-Off Time

TOFF

800

(Ic=500mA Vcc=30V Ib1=-Ib2=50mA)

.034

.021

0.711

0.406

Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.

2.Pulsed: Pulse duration = 300us, duty cycle = 1 %

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: A

2011/01/01

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