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2N5321

更新时间： 2024-01-23 17:27:25

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3页	168K
描述
SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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2N5321 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.92	最大集电极电流 (IC)：	2 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	200 °C
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	10 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz

2N5321 数据手册

NPN 2N5320 – 2N5321

SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

The 2N5320 and 2N5321 are NPN transistors mounted in TO-39 metal case .

They are especially intended for high-voltage medium power applications in industrial and commercial

equipements.

Compliance to RoHS

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Ratings

Value

Unit

2N5320

2N5321

2N5320

2N5321

2N5320

2N5321

2N5320

100

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

V_CEO

V_CBO

V_CEV

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (I_E= 0)

Collector-Emitter Voltage (V_BE= 1.5V)

Emitter-Base Voltage (I_C= 0)

2N5321

2N5320

2N5321

2N5320

2N5321

2N5320

2N5321

2N5320

2N5321

2N5320

Collector Current

Base Current

I_B

@ T_amb= 25°

@ T_case= 25°

Total Power Dissipation

P_D

Watts

Junction Temperature

T_J

-65 to +200

°C

2N5321

2N5320

2N5321

Storage Temperature range

T_Stg

-65 to +200

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Ratings

Value

Unit

2N5320

2N5321

2N5320

2N5321

Thermal Resistance, Junction to ambient

Thermal Resistance, Junction to case

R_thJ-a

R_thJ-c

175

°C/W

17.5

°C/W

COMSET SEMICONDUCTORS

1/3

12 3

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