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2N5210L34Z

更新时间： 2024-01-04 02:53:24

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	570K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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2N5210L34Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2N5210L34Z 数据手册

NPN General Purpose Amplifier

(continued)

Typical Common Emitter Characteristics (f = 1.0 kHz)

Typical Common Emitter Characteristics

1.4

Typical Common Emitter Characteristics

1.5

1.4

h _ie

V_CE= 5.0V

f = 1.0kHz

I _C= 1.0mA

1.3

1.2

1.1

h _re

h _fe

h _oe

1.3

1.2

1.1

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

h _oe

h _fe

h _re

I_C= 1.0mA

f = 1.0kHz

T_A= 25 C

0.9

0.8

h _ie

-100

-50

100

150

T _J- JUNCTIO N TEMP ERATURE ( C)

V _CE- COLLECTOR VOLTAGE (V)

Typical Common Emitter Characteristics

100

f = 1.0kHz

and h

0.1

0.01

0.1 0.2

0.5

10 20

50 100

I _C- COLLECTOR CURRENT (mA)

1...3 4 567 8 9...11

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2N5210M1TC	ZETEX	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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