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2N5210L34Z

更新时间： 2024-02-05 05:27:56

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	570K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,

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技术参数
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2N5210L34Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	其他特性：	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

2N5210L34Z 数据手册

NPN General Purpose Amplifier

(continued)

Typical Characteristics (continued)

Input and Output Capacitance

vs Reverse Bias Voltage

Contours of Constant Gain

Bandwidth Product (f_T)

f = 1.0 MHz

175 MHz

150 MHz

125 MHz

100 MHz

75 MHz

0.1

100

I _C- COLLECTOR CURRENT (mA)

REVERSE BIAS VOLTAGE (V)

Normalized Collector-Cutoff Current

vs Ambient Temperature

Wideband Noise Frequency

vs Source Resistance

1000

V_CE= 5.0 V

BANDWIDTH = 15.7 kHz

100

= 100 µA

= 30 µA

= 10 µA

100

125

150

1,000

2,000

5,000

10,000

20,000

50,000

100,000

T_A- AMBIENT TEMPERATURE ( C)

- SOURCE RESISTANCE (Ω )

Power Dissipation vs

Ambient Temperature

Noise Figure vs Frequency

625

500

375

250

125

= 200 µA,

= 10 kΩ

TO-92

= 100 µA,

= 10 kΩ

SOT-23

= 1.0 mA,

= 500 Ω

= 1.0 mA,

= 5.0 kΩ

= 5.0V

100

125

150

0.0001 0.001

0.01

0.1

100

TEMPERATURE (^oC)

f - FREQUENCY (MHz)

1 2 345 6 7...11

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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