是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.74 |
最大集电极电流 (IC): | 4 A | 集电极-发射极最大电压: | 40 V |
配置: | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE): | 10 |
JEDEC-95代码: | TO-126 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | NPN |
最大功率耗散 (Abs): | 40 W | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 2 MHz | VCEsat-Max: | 1.4 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2N5190LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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2N5190PBFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, |
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2N5191 | ONSEMI | POWER TRANSISTORS SILICON NPN |
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2N5191 | STMICROELECTRONICS | MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTORS |
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2N5191 | CENTRAL | NPN SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE POWER |
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2N5191 | NJSEMI | SILICON NPN POWER TRANSISTORS |
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