2N5190G

更新时间： 2024-02-29 08:37:23

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关 PC 局域网
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描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N5190G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	40 W	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2 MHz	VCEsat-Max：	1.4 V
Base Number Matches：	1

2N5190G 数据手册

2N5190G, 2N5191G, 2N5192G

ELECTRICAL CHARACTERISTICS* (T = 25_C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 1)

Vdc

CEO(sus)

(I = 0.1 Adc, I = 0)

2N5190G

2N5191G

2N5192G

−

Collector Cutoff Current

mAdc

CEO

(V = 40 Vdc, I = 0)

2N5190G

−

1.0

(V = 60 Vdc, I = 0)

2N5191G

(V = 80 Vdc, I = 0)

2N5192G

Collector Cutoff Current

CEX

(V = 40 Vdc, V

2N5190G

= 1.5 Vdc)

EB(off)

−

0.1

2.0

(V = 60 Vdc, V

2N5191G

(V = 80 Vdc, V

2N5192G

(V = 40 Vdc, V

= 1.5 Vdc, T = 125_C)

2N5190G

(V = 60 Vdc, V

2N5191G

(V = 80 Vdc, V

2N5192G

Collector Cutoff Current

mAdc

CBO

(V = 40 Vdc, I = 0)

2N5190G

−

0.1

(V = 60 Vdc, I = 0)

2N5191G

(V = 80 Vdc, I = 0)

2N5192G

Emitter Cutoff Current

(V = 5.0 Vdc, I = 0)

mAdc

−

EBO

−

1.0

ON CHARACTERISTICS (Note 1)

DC Current Gain

(I = 1.5 Adc, V = 2.0 Vdc)

2N5190G/2N5191G

2N5192G

100

(I = 4.0 Adc, V = 2.0 Vdc)

2N5190G/2N5191G

2N5192G

7.0

−

Collector−Emitter Saturation Voltage

Vdc

CE(sat)

(I = 1.5 Adc, I = 0.15 Adc)

−

0.6

1.4

(I = 4.0 Adc, I = 1.0 Adc)

Base−Emitter On Voltage

(I = 1.5 Adc, V = 2.0 Vdc)

BE(on)

−

1.2

−

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Current−Gain − Bandwidth Product

MHz

(I = 1.0 Adc, V = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)

2.0

*JEDEC Registered Data.

1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.

http://onsemi.com

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