5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 2N4416ALEADFREE
2N4416ALEADFREE PDF预览

2N4416ALEADFREE

更新时间： 2024-09-17 13:04:03
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Silicon, TO-72, TO-72, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

2N4416ALEADFREE 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-72
包装说明：TO-72, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.04Is Samacsys：N
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-72
JESD-30 代码：O-MBCY-W4JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2N4416ALEADFREE 数据手册

 浏览型号2N4416ALEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
Semiconductor Corp.  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4416 and  
2N4416A are silicon N-Channel Junction Field  
Effect Transistors designed for VHF amplifier and  
mixer applications.  
MARKING CODE:  
Full Part Nmber  
JEDEC TO-72 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
2N4416  
30  
30  
30  
10  
2N4416A UNITS  
Gate-Drain Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain-Source Voltage  
Gate Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
V
35  
35  
V
V
GD  
V
GS  
V
35  
V
DS  
I
10  
300  
mA  
mW  
G
P
300  
D
T ,T  
-65 to +200  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
2N4416  
MIN MAX  
2N4416A  
MIN MAX  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
nA  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=20V, V =0V  
DS  
-
-
0.1  
0.1  
15  
-
--  
0.1  
0.1  
15  
-
GSS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
I
=20V, V =0V, T =150°C  
µA  
GSS  
DS  
A
I
=15V, V =0V  
5.0  
30  
-
5.0  
35  
mA  
V
DSS  
GS  
BV  
=0V, I =1.0µA  
GSS  
G
V
=15V, I =1.0nA  
6.0  
2.5  
6.0  
V
GS(OFF)  
D
g
=15V, V =0V, f=1.0KHz  
GS  
4,500 7,500 4,500 7,500  
umho  
umho  
pF  
fs  
g
=15V, V =0V, f=1.0KHz  
-
50  
1.0  
4.0  
2.0  
-
-
-
-
50  
1.0  
4.0  
2.0  
os  
GS  
C
=15V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
-
rss  
C
=15V, V =0, f=1.0MHz  
-
-
pF  
iss  
GS  
C
=15V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
pF  
oss  
HIGH FREQUENCY CHARACTERISTICS:  
100 MHz  
400 MHz  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
umho  
umho  
umho  
umho  
umho  
dB  
g
V
V
V
V
V
V
V
=15V, V =0V  
GS  
-
-
100  
2,500  
75  
-
1,000  
10,000  
100  
4,000  
-
iss  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
b
=15V, V =0V,  
-
iss  
GS  
g
=15V, V =0V  
GS  
-
-
oss  
b
=15V, V =0V  
-
1,000  
-
-
4,000  
10  
oss  
GS  
g
=15V, V =0V  
GS  
-
fs  
Gps  
NF  
=15V, I =5mA  
18  
-
-
-
D
=15V, I =5mA, R =1K  
2.0  
-
4.0  
dB  
D
G
R1 (4-April 2007)  
12

中文翻译

下载PDF

与2N4416ALEADFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N4416A-TO-72 Linear

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
2N4416A-TO-72-4L-ROHS Linear

获取价格

 		Transistor,
2N4416CSM ETC

获取价格

 		N-Channel
2N4416CSMA SEME-LAB

获取价格

 		SMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HI
2N4416DCSM SEME-LAB

获取价格

 		SMALL SIGNAL DUAL N–CHANNEL J–FET IN A
2N4416G VISHAY

获取价格

 		RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
2N4416-TO-72-4L-ROHS Linear

获取价格

 		Transistor,
2N4419 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-92VAR
2N442 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 15A I(C) | TO-36
2N4423 NSC

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,12V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-92VAR

与2N4416ALEADFREE相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证