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2N4416A-TO-72

更新时间： 2024-11-24 14:39:19

品牌	Logo	应用领域
凌特 - Linear		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	443K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-72, ROHS COMPLIANT, METAL PACKAGE-4

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2N4416A-TO-72 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-72
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.02
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	4 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-72
JESD-30 代码：	O-MBCY-W4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	135 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	10 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N4416A-TO-72 数据手册

2N/SST4416 2N4416A

N-CHANNEL JFET

HIGH FREQUENCY AMPLIFIER

Linear Integrated Systems

FEATURES

Direct Replacement For SILICONIX 2N/SST4416 & 2N4416A

VERY LOW NOISE FIGURE (400 MHz)

EXCEPTIONAL GAIN (400 MHz)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS¹

@ 25 °C (unless otherwise stated)

Maximum Temperatures

4 dB (max)

10 dB (min)

2N SERIES

2N SERIES* SST SERIES

TO-72

TO-92

SOT-23

BOTTOM VIEW

TOP VIEW

Storage Temperature

-65 to +200 °C

-55 to +135 °C

D G

Operating Junction Temperature

Maximum Power Dissipation

Continuous Power Dissipation

Maximum Currents

2 3

300mW

10mA

Gate Current

Maximum Voltages

*Optional Package For 2N4416

Gate to Drain or Gate to Source LS4416

Gate to Drain or Gate to Source LS4416A

-30V

-35V

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)

SYMBOL

CHARACTERISTIC

MIN TYP MAX UNITS CONDITIONS

2N/SST4416

2N4416A

2N/SST4416

2N4416A

-30

-35

Gate to Source

BV_GSS

I_G= -1µA, V_DS= 0V

Breakdown Voltage

-6

-0.1

-1.0

7500

0.8

Gate to Source

Cutoff Voltage

V_GS(off)

I_DSS

V_DS= 15V, I_D= 1nA

-2.5

Gate to Source Saturation Current

V_DS= 15V, V_GS= 0V

V_GS= -20V, V_DS= 0V

V_GS= -15V, V_DS= 0V

SST

I_GSS

Gate Leakage Current

g_fs

g_os

C_iss

C_rss

C_oss

e_n

Forward Transconductance

Output Conductance

4500

µS

V_DS= 15V, V_GS= 0V, f = 1kHz

Input Capacitance²

Reverse Transfer Capacitance²

Output Capacitance²

Equivalent Input Noise Voltage

V_DS= 15V, V_GS= 0V, f = 1MHz

nV/√Hz V_DS= 10V, V_GS= 0V, f = 1kHz

Linear Integrated Systems • 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4416A-TO-72-4L-ROHS	Linear	获取价格	Transistor,
2N4416CSM	ETC	获取价格	N-Channel
2N4416CSMA	SEME-LAB	获取价格	SMALL SIGNAL N-CHANNEL J-FET IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HI
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2N4416G	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
2N4416-TO-72-4L-ROHS	Linear	获取价格	Transistor,
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