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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 2N4416
2N4416 PDF预览

2N4416

更新时间： 2024-02-10 20:53:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 82K
描述
N-CHANNEL JFET

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2N4416 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-72
包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W4针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.04
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：0.015 AFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：1 pF最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：TO-72JESD-30 代码：O-MBCY-W4
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：4工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：4 dB
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

2N4416 数据手册

 浏览型号2N4416的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
Central  
Semiconductor Corp.  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N4416 and  
2N4416A are silicon N-Channel Junction Field  
Effect Transistors designed for VHF amplifier and  
mixer applications.  
MARKING CODE:  
Full Part Nmber  
JEDEC TO-72 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
2N4416  
30  
30  
30  
10  
2N4416A UNITS  
Gate-Drain Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain-Source Voltage  
Gate Current  
Power Dissipation  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
V
35  
35  
V
V
GD  
V
GS  
V
35  
V
DS  
I
10  
300  
mA  
mW  
G
P
300  
D
T ,T  
-65 to +200  
°C  
J
stg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
2N4416  
MIN MAX  
2N4416A  
MIN MAX  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
UNITS  
nA  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
=20V, V =0V  
DS  
-
-
0.1  
0.1  
15  
-
--  
0.1  
0.1  
15  
-
GSS  
GS  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
I
=20V, V =0V, T =150°C  
µA  
GSS  
DS  
A
I
=15V, V =0V  
5.0  
30  
-
5.0  
35  
mA  
V
DSS  
GS  
BV  
=0V, I =1.0µA  
GSS  
G
V
=15V, I =1.0nA  
6.0  
2.5  
6.0  
V
GS(OFF)  
D
g
=15V, V =0V, f=1.0KHz  
GS  
4,500 7,500 4,500 7,500  
umho  
umho  
pF  
fs  
g
=15V, V =0V, f=1.0KHz  
-
50  
1.0  
4.0  
2.0  
-
-
-
-
50  
1.0  
4.0  
2.0  
os  
GS  
C
=15V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
-
rss  
C
=15V, V =0, f=1.0MHz  
-
-
pF  
iss  
GS  
C
=15V, V =0, f=1.0MHz  
GS  
pF  
oss  
HIGH FREQUENCY CHARACTERISTICS:  
100 MHz  
400 MHz  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN MAX  
MIN MAX  
UNITS  
umho  
umho  
umho  
umho  
umho  
dB  
g
V
V
V
V
V
V
V
=15V, V =0V  
GS  
-
-
100  
2,500  
75  
-
1,000  
10,000  
100  
4,000  
-
iss  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
b
=15V, V =0V,  
-
iss  
GS  
g
=15V, V =0V  
GS  
-
-
oss  
b
=15V, V =0V  
-
1,000  
-
-
4,000  
10  
oss  
GS  
g
=15V, V =0V  
GS  
-
fs  
Gps  
NF  
=15V, I =5mA  
18  
-
-
-
D
=15V, I =5mA, R =1K  
2.0  
-
4.0  
dB  
D
G
R1 (4-April 2007)  
12

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2N4416 替代型号

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