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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2N4400TAR
2N4400TAR PDF预览

2N4400TAR

更新时间： 2024-02-26 09:03:39
品牌 Logo 应用领域
TAITRON 开关放大器
页数 文件大小 规格书
4页 219K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N4400TAR 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.68Is Samacsys：N
基于收集器的最大容量：6.5 pF集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：50
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHz最大关闭时间（toff）：255 ns
VCEsat-Max：0.75 VBase Number Matches：1

2N4400TAR 数据手册

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Small Signal General Purpose Transistors (NPN)  
2N4400/2N4401  
Electrical Characteristics (T Ambient=25ºC unless noted otherwise)  
2N4400  
2N4401  
Symbol  
Description  
Unit  
Conditions  
Min. Max. Min. Max.  
60  
40  
6.0  
-
-
-
60  
40  
6.0  
-
-
-
V
V
V
IC=100µA, IE=0  
IC=1mA, IB=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO*  
V(BR)EBO  
-
-
IE=100µA, IC=0  
0.40  
0.75  
0.95  
1.20  
100  
100  
-
0.40  
0.75  
0.95  
1.20  
100  
100  
-
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB=50mA  
IC=150mA, IB=15mA  
IC=500mA, IB=50mA  
VEB=0.4V, VCE=35V  
VEB=0.4V, VCE=35V  
VCE=1V, IC=0.1mA  
VCE=1V, IC=1mA  
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter Saturation Voltage  
V
V
VCE(sat) *  
VBE(sat) *  
-
-
0.75  
-
0.75  
-
Collector Cut–Off Current  
Base Cut–Off Current  
-
-
nA  
nA  
ICEV  
IBEV  
-
-
-
20  
40  
80  
100  
40  
20  
40  
50  
20  
-
-
D.C. Current Gain  
VCE=1V, IC=10mA  
VCE=1V, IC=150mA  
VCE=2V, IC=500mA  
hFE*  
-
-
150  
-
300  
-
VCE=10V, IC=1mA  
f=1KHz,  
VCE=10V, IC=1mA  
f=1KHz,  
VCE=10V, IC=20mA,  
f=100MHz  
VCB=5V, IE=0  
f=100KHz,  
VEB=0.5V, IC=0  
f=100KHz,  
VCE=10V, IC=1mA  
f=1KHz,  
VCE=10V, IC=1mA  
f=1KHz,  
0.5  
0.1  
200  
-
7.5  
8.0  
-
1.0  
0.1  
250  
-
15  
8.0  
-
kΩ  
x10
־
4  
MHz  
pF  
Input Impedance  
hie  
hre  
Voltage Feedback Ratio  
Current Gain-Bandwidth Product  
Collector-Base Capacitance  
Emitter-Base Capacitance  
Small Signal Current Gain  
Output Admittance  
fT  
6.5  
30  
250  
30  
6.5  
30  
500  
30  
CCBO  
CEBO  
hfe  
-
-
pF  
20  
1.0  
40  
1.0  
μS  
hoe  
-
-
-
-
15  
20  
-
-
-
-
15  
20  
nS  
nS  
nS  
nS  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
td  
tr  
ts  
tf  
VCC=30V, VEB=2V  
IC=150mA, IB1=15mA  
225  
30  
225  
30  
VCC=30V, IC=150mA  
IB1=IB2=15mA  
*Pulse Test: Pulse Width<300µs, Duty Cycle<2%  
Rev. A/AH 2008-03-05  
Page 2 of 4  
www.taitroncomponents.com  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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