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2N4401

更新时间： 2024-02-07 13:20:58

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SECOS		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	320K
描述
NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transi stors

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2N4401 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	基于收集器的最大容量：	6.5 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	255 ns	VCEsat-Max：	0.75 V
Base Number Matches：	1

2N4401 数据手册

2N4401

NPN Transistor

Elektronische Bauelemente

Plastic-Encapsulate Transistors

RoHS Compliant Product

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

TO-92

4.55±0.2

3.5 0.2

Features

Power Dissipation

MAXIMUM RATINGS* T_A=25 ^oC unless otherwise noted

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

Units

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

+0.08

–0.07

0.43

46^+0.1

–0.1

Collector Current -Continuous

Collector Power dissipation

Junction Temperature

600

P _C

T_J

0.625

150

^oC

(1.27 Typ.)

1: Emitter

2: Base

3: Collector

1.25⁺–0⁰.^.2²

^oC

2 3

Storage Temperature

T_stg

-55to +150

357

2.54 0.1

Thermal Resistance, junction to Ambient

/mW

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Tamb=25^oC

unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=100µA , I

_E=0

I_C= 1mA , I_B=0

I_E=100µA, I_C=0

V_CB=35V, I_E=0

0.1

0.5

0.1

µA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=35V, I_B=0

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=5V, I_C=0

h_FE(1)

V_CE=1V, I_C= 0.1mA

V_CE=1V, I_C=1mA

V_CE=1V, I_C= 10mA

V_CE=1V, I_C=150mA

V_CE=2V, I_C= 500mA

I_C=150 mA, I_B=15mA

I_C=500 mA, I_B=50mA

I_C=150 mA, I_B=15mA

I_C=500 mA, I_B=50mA

V_CE= 10V, I_C= 20mA,

f=100MHz

h_FE(2)

DC current gain

h_FE(3)

h_FE(4)

100

300

h_FE(5)

V_CE(sat)1

V_CE(sat)2

V_BE(sat)1

V_BE(sat)2

0.4

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

0.75

0.95

250

MHz

f _T

Output Capacitance

V_CB=10V, I_E= 0,f=1MHz

6.5

C_ob

Delay time

t_d

V_CC=30V, V_BE=2V

I_C=150mA, I_B1=15mA

V_CC=30V, I_C=150mA

I_B1= I_B2= 15mA

Rise time

Storage time

Fall time

225

t_r

t_S

t_f

http://www.SeCoSGmbH.com/

01-Jun-2002 Rev. A

Any changing of specification will not be informed individual

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