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2N4401

更新时间： 2024-01-01 00:52:15

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WEITRON		晶体晶体管
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3页	308K
描述
NPN SiliconGeneral Purpose Transistors

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2N4401 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.66	基于收集器的最大容量：	6.5 pF
集电极-发射极最大电压：	40 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	255 ns	VCEsat-Max：	0.75 V
Base Number Matches：	1

2N4401 数据手册

2N4401

General Purpose Transistors

NPN Silicon

TO-92

FEATURES

Power dissipation

P_CM

Collector current

I_CM:

1. EMITTER

2. BASE

3. COLLECTOR

0.625 W （Tamb=25℃）

0.6

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: 60

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Ic=100μA , I_E=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

(BR)CBO

I_C= 1mA ,

I_B=0

I =0

(BR)CEO

I_E=100μA,

(BR)EBO

μA

I_CBO

I_CEO

V_CB=50 V , I_E=0

V_CE=35 V , I_B=0

V_EB=5V , I_C=0

0.1

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

I_EBO

h_FE（1）

V_CE(sat)

V_BE(sat)

DC current gain

V_CE=1 V, I_C= 150mA

I_C=150 mA, I_B=15mA

100

250

300

0.4

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

I_C= 150 mA, I_B=15mA

V_CE= 10V, I_C= 20mA

0.95

MHz

f = 100MHz

WEITRON

http://www.weitron.com.tw

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