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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N4324 | ETC |
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THYRISTOR|GTO|200V V(DRM)|TO-18 |
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| 2N4325 | ETC |
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THYRISTOR|GTO|250V V(DRM)|TO-18 |
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| 2N4326 | ETC |
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THYRISTOR|GTO|30V V(DRM)|TO-18 |
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| 2N4327 | ETC |
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THYRISTOR|GTO|60V V(DRM)|TO-18 |
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| 2N4328 | ETC |
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THYRISTOR|GTO|100V V(DRM)|TO-18 |
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| 2N4329 | ETC |
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THYRISTOR|GTO|150V V(DRM)|TO-18 |
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| 2N4330 | ETC |
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THYRISTOR|GTO|200V V(DRM)|TO-52 |
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| 2N4331 | ETC |
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THYRISTOR|GTO|250V V(DRM)|TO-52 |
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| 2N4333 | ASI |
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Silicon Controlled Rectifier, 390mA I(T), 60V V(DRM) |
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| 2N4338 | INTERFET |
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N - CHANNEL JFETS GENERAL - PURPOSE DEVICE TYPES |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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