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2N4330

更新时间: 2024-02-14 15:27:02
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其他 - ETC 栅极
页数 文件大小 规格书
4页 333K
描述
THYRISTOR|GTO|200V V(DRM)|TO-52

2N4330 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.75Is Samacsys:N
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.5 mA
最大直流栅极触发电压:1 VJEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3最大漏电流:0.0001 mA
通态非重复峰值电流:5 A元件数量:1
端子数量:3最大通态电流:390 A
最高工作温度:100 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:0.39 A
断态重复峰值电压:200 V重复峰值反向电压:200 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N4330 数据手册

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