2N4125TF

更新时间： 2024-02-08 23:52:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器晶体管开关
页数	文件大小	规格书
6页	61K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N4125TF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	4.5 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2N4125TF 数据手册

2N4125

TO-92

PNP General Purpose Amplifier

This device is designed for use as general purpose amplifiers

and switches requiring collector currents of 10 µA to 100 mA.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

4.0

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

200

°C

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N4125

P_D

Total Device Dissipation

625

5.0

mW/ C

Derate above 25 C

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

R_θ

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

R_θ

°C/W

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

2N4125, Rev A

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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