2N4125TF

更新时间： 2024-11-11 13:04:03

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器晶体管开关
页数	文件大小	规格书
6页	61K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N4125TF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.05	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	25
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N4125TF 数据手册

2N4125

TO-92

PNP General Purpose Amplifier

This device is designed for use as general purpose amplifiers

and switches requiring collector currents of 10 µA to 100 mA.

Absolute Maximum Ratings*

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Value

Units

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

4.0

Collector Current - Continuous

Operating and Storage Junction Temperature Range

200

°C

-55 to +150

T_J, T_stg

*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

NOTES:

1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.

2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.

Thermal Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Characteristic

Max

Units

2N4125

P_D

Total Device Dissipation

625

5.0

mW/ C

Derate above 25 C

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

R_θ

C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

200

R_θ

°C/W

2001 Fairchild Semiconductor Corporation

2N4125, Rev A

12 3 4 5 6

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2N4125TF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N4125TA	FAIRCHILD	完全替代	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4125BU	FAIRCHILD	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4125	CENTRAL	功能相似	Small Signal Transistors

与2N4125TF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N4125TRA	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4125TRB	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4125TRC	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4125TRELEADFREE	CENTRAL	获取价格	暂无描述
2N4125TRF	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4125TRG	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4125TRH	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
2N4126	TRSYS	获取价格	PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2N4126	SAMSUNG	获取价格	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N4126	FAIRCHILD	获取价格	PNP General Purpose Amplifier

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