2N4125TF

更新时间： 2024-01-12 21:03:26

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体放大器晶体管开关
页数	文件大小	规格书
6页	61K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, LEAD FREE PACKAGE-3

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2N4125TF 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
基于收集器的最大容量：	4.5 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	VCEsat-Max：	0.4 V
Base Number Matches：	1

2N4125TF 数据手册

PNP General Purpose Amplifier

(continued)

Electrical Characteristics

TA = 25°C unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Test Conditions

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown

I_C= 1.0 mA, I_B= 0

Voltage*

V_(BR)CBO

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 10 µA, I_E= 0

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector-Cutoff Current

4.0

I_E= 10 A, I_C= 0

V_CB= 20 V, I_E= 0

V_EB= 3.0 V, I_C= 0

I_EBO

Emitter-Cutoff Current

ON CHARACTERISTICS*

h_FE

DC Current Gain

V_CE= 1.0 V, I_C= 2.0 mA

150

_CE= 1.0 V, I_C= 50 mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C= 50 mA, I_B= 5.0 mA

0.4

V_CE(

)

sat

I_C= 50 mA, I_B= 5.0 mA

0.95

V_BE(sat)

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

Output Capacitance

V_CB= 5.0 V, f = 100 kHz

V_BE= 0.5 V, f = 100 kHz

4.5

C_ob

C_ib

h_fe

Input Capacitance

Small-Signal Current Gain

I_C= 2.0 mA, V_CE= 10 V,

f = 1.0 kHz

I_C= 10 mA, V_CE= 20 V,

f = 100 MHz

200

5.0

2.0

Noise Figure

V_CE= 5.0 V, I_C= 100 A,

R_S= 1.0 kΩ,

f = 10Hz to 15.7 kHz,

*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs, Duty Cycle ≤ 2.0%

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