是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-72 |
包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.32 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE | FET 技术: | JUNCTION |
最大反馈电容 (Crss): | 1.5 pF | JEDEC-95代码: | TO-72 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W4 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 4 | 工作模式: | DEPLETION MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2N4119 | INTERFET |
功能相似 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-72 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2N4119A_TO-71 | MICROSS |
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an Ultra-High Input Impedance N-Channel JFET | |
2N412 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15MA I(C) | TO-1 | |
2N4120 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20MA I(D) | TO-72 | |
2N4121 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-106 | |
2N4122 | ONSEMI |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,BJT,PNP,40V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-106, BIP General Purpose Small Si | |
2N4122 | VISHAY |
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Transistor | |
2N4123 | DIODES |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 S | |
2N4123 | ONSEMI |
获取价格 |
General Purpose Transistors(NPN Silicon) | |
2N4123 | SAMSUNG |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
2N4123 | FAIRCHILD |
获取价格 |
NPN General Purpose Amplifier |