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2N4123/D81Z

更新时间: 2024-01-30 23:58:47
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 719K
描述
200mA, 30V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92

2N4123/D81Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.63
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.2 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

2N4123/D81Z 数据手册

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