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2N4123-AMMO

更新时间: 2024-11-23 14:51:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
TRANSISTOR 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Small Signal

2N4123-AMMO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.07
最大集电极电流 (IC):0.2 A基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:1 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

2N4123-AMMO 数据手册

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