2N4123/D

更新时间： 2024-02-10 01:39:21

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
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6页	165K
描述
General Purpose Transistor - NPN

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2N4123/D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.7	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2N4123/D 数据手册

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by 2N4123/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

NPN Silicon

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

CASE 29–04, STYLE 1

TO–92 (TO–226AA)

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol 2N4123 2N4124

Unit

Vdc

CEO

CBO

EBO

Vdc

5.0

Vdc

Collector Current — Continuous

200

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watts

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

(1)

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Vdc

(BR)CEO

(I = 1.0 mAdc, I = 0)

2N4123

2N4124

—

Collector–Base Breakdown Voltage

(I = 10 Adc, I = 0)

Vdc

(BR)CBO

2N4123

2N4124

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = 10 Adc, I = 0)

5.0

—

Vdc

nAdc

(BR)EBO

Collector Cutoff Current

(V = 20 Vdc, I = 0)

CBO

—

Emitter Cutoff Current

(V = 3.0 Vdc, I = 0)

—

EBO

1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle = 2.0%.

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

Motorola, Inc. 1996

12 3 4 5 6

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