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2N4123/D

更新时间: 2024-01-29 11:01:38
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 165K
描述
General Purpose Transistor - NPN

2N4123/D 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.7基于收集器的最大容量:4 pF
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):50JEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
VCEsat-Max:0.3 VBase Number Matches:1

2N4123/D 数据手册

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PACKAGE DIMENSIONS  
NOTES:  
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI  
Y14.5M, 1982.  
A
B
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.  
3. CONTOUR OF PACKAGE BEYOND DIMENSION R  
IS UNCONTROLLED.  
4. DIMENSION F APPLIES BETWEEN P AND L.  
DIMENSION D AND J APPLY BETWEEN L AND K  
MINIMUM. LEAD DIMENSION IS UNCONTROLLED  
IN P AND BEYOND DIMENSION K MINIMUM.  
R
P
L
F
SEATING  
PLANE  
INCHES  
MIN  
MILLIMETERS  
K
DIM  
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
MAX  
0.205  
0.210  
0.165  
0.022  
0.019  
0.055  
0.105  
0.020  
–––  
MIN  
4.45  
4.32  
3.18  
0.41  
0.41  
1.15  
2.42  
0.39  
12.70  
6.35  
2.04  
–––  
MAX  
5.20  
5.33  
4.19  
0.55  
0.48  
1.39  
2.66  
0.50  
–––  
0.175  
0.170  
0.125  
0.016  
0.016  
0.045  
0.095  
0.015  
0.500  
0.250  
0.080  
–––  
D
J
X X  
G
H
V
SECTION X–X  
C
–––  
–––  
0.105  
0.100  
–––  
2.66  
2.54  
–––  
1
N
R
V
0.115  
0.135  
2.93  
3.43  
N
–––  
–––  
STYLE 1:  
PIN 1. EMITTER  
CASE 029–04  
(TO–226AA)  
ISSUE AD  
2. BASE  
3. COLLECTOR  
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
5

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