2N4123/D

更新时间： 2024-02-19 13:05:37

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	165K
描述
General Purpose Transistor - NPN

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2N4123/D 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.7	基于收集器的最大容量：	4 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

2N4123/D 数据手册

STATIC CHARACTERISTICS

2.0

1.0

= +125°C

= 1 V

+25

0.7

0.5

–55

0.3

0.2

0.1

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

100

200

, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 9. DC Current Gain

1.0

0.8

= 25°C

= 1 mA

10 mA

30 mA

100 mA

0.6

0.4

0.2

0.01

0.02

0.03

0.05

0.07 0.1

0.2

0.3

0.5

0.7

1.0

2.0

3.0

5.0

7.0

, BASE CURRENT (mA)

Figure 10. Collector Saturation Region

1.2

1.0

= 25°C

@ I /I = 10

C B

0.5

BE(sat)

+25°C to +125°C

for V

CE(sat)

0.8

–55°C to +25°C

@ V

= 1 V

–0.5

–1.0

–1.5

–2.0

0.6

0.4

–55

C to +25

@ I /I = 10

C B

CE(sat)

+25°C to +125°C

for V

BE(sat)

0.2

1.0

2.0

5.0

100

200

I , COLLECTOR CURRENT (mA)

100 120 140

160 180 200

, COLLECTOR CURRENT (mA)

Figure 11. “On” Voltages

Figure 12. Temperature Coefficients

Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

1 2 345 6

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