2N3906-T/R

更新时间： 2024-02-01 16:46:53

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恩智浦 - NXP		晶体开关晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
8页	51K
描述
200mA, 40V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC PACKAGE-3

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2N3906-T/R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.2 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
最大关闭时间（toff）：	300 ns	最大开启时间（吨）：	70 ns
Base Number Matches：	1

2N3906-T/R 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

PNP switching transistor

2N3906

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

thermal resistance from junction to ambient

CONDITIONS

VALUE

250

UNIT

R_{th j-a}

note 1

K/W

Note

1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.

CHARACTERISTICS

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

I_CBO

I_EBO

h_FE

PARAMETER

collector cut-off current

emitter cut-off current

DC current gain

CONDITIONS

I_E= 0; V_CB= −30 V

MIN.

MAX.

−50

UNIT

−

I_C= 0; V_EB= −6 V

−50

V_CE= −1 V; note 1; see Fig.2

I_C= −0.1 mA

100

−

I_C= −1 mA

−

I_C= −10 mA

300

−

I_C= −50 mA

I_C= −100 mA

−

V_CEsat

collector-emitter saturation

voltage

I_C= −10 mA; I_B= −1 mA; note 1

I_C= −50 mA; I_B= −5 mA; note 1

I_C= −10 mA; I_B= −1 mA; note 1

I_C= −50 mA; I_B= −5 mA; note 1

I_E= i_e= 0; V_CB= −5 V; f = 1 MHz

I_C= i_c= 0; V_EB= −500 mV; f = 1 MHz

−200

−850

−950

4.5

−

V_BEsat

base-emitter saturation voltage

−

C_c

C_e

f_T

collector capacitance

emitter capacitance

transition frequency

noise ﬁgure

−

I_C= −10 mA; V_CE= −20 V; f = 100 MHz 250

−

MHz

I_C= −100 µA; V_CE= −5 V; R_S= 1 kΩ;

−

f = 10 Hz to 15.7 kHz

Switching times (between 10% and 90% levels); see Fig.3

t_on

t_d

t_r

turn-on time

delay time

rise time

I_Con= −10 mA; I_Bon= −1 mA; I_Boff= 1 mA −

−

t_off

t_s

turn-off time

storage time

fall time

300

225

t_f

Note

1. Pulse test: t_p≤ 300 µs; δ ≤ 0.02.

1999 Apr 23

1 234 5 6 7 8

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与2N3906-T/R相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3906T93	ROHM	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
2N3906TA	FAIRCHILD	PNP General Purpose Amplifier	获取价格
2N3906TA	ONSEMI	小信号 PNP 双极晶体管，TO-92	获取价格
2N3906-TAP	VISHAY	Transistor	获取价格
2N3906TAR	FAIRCHILD	PNP General Purpose Amplifier	获取价格
2N3906TAR	ONSEMI	小信号 PNP 双极晶体管，TO-92	获取价格