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2N3906U

更新时间: 2024-12-01 14:53:07
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先科 - SWST 晶体管
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5页 268K
描述
小信号晶体管

2N3906U 数据手册

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2N3906U  
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
Applications  
• For switching and amplifier  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25)  
Parameter  
Symbol  
-VCBO  
-VCEO  
-VEBO  
-IC  
Value  
Unit  
V
Collector Base Voltage  
Collector Emitter Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current  
40  
40  
V
6
200  
V
mA  
mW  
Power Dissipation  
Ptot  
500  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Tj  
150  
Tstg  
- 55 to + 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
RθJA  
Max.  
250  
Unit  
Thermal Resistance from Junction Ambient 1)  
℃/W  
1) Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.  
1 / 5  
®
Dated: 16/05/2023 Rev: 02  

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