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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | TO-5 | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.46 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N366 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-22VAR |
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| 2N3660 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N3660LEADFREE | CENTRAL | Power Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin, TO-3 |
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| 2N3661 | CENTRAL | Small Signal Transistors |
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| 2N3661 | MICROSEMI | Transistor |
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| 2N3661E3 | MICROSEMI | Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 50V V(BR)CEO, PNP, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
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