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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 标称电路换相断开时间： | 10 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 500 mA | 最大直流栅极触发电压： | 4.5 V |
| 最大维持电流： | 350 mA | 最大漏电流： | 6 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 180 A | 最大通态电流： | 16000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -60 °C |
| 断态重复峰值电压： | 200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3656M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),16A I(T),TO-208AA |
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| 2N3657 | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N3657M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,300V V(DRM),16A I(T),TO-208AA |
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| 2N3658 | NJSEMI |
获取价格 |
MAXIMUM ALLOWABLE RATINGS |
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| 2N3658 | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 400V V(DRM), |
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| 2N3658 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
35A, 400V, SCR, TO-48 |
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| 2N3658M | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,400V V(DRM),16A I(T),TO-208AA |
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| 2N3658MP | NJSEMI |
获取价格 |
Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve |
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| 2N3659 | SSDI |
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Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 170V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, |
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| 2N366 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-22VAR |
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