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2N3655

更新时间: 2024-01-19 05:16:12
品牌 Logo 应用领域
POWEREX 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 77K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 27A I(T)RMS, 16000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-48, TO-48, 2 PIN

2N3655 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.84标称电路换相断开时间:10 µs
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:500 mA
最大直流栅极触发电压:4.5 V最大维持电流:350 mA
最大漏电流:6 mA通态非重复峰值电流:180 A
最大通态电流:16000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-60 °C断态重复峰值电压:100 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N3655 数据手册

 浏览型号2N3655的Datasheet PDF文件第1页 

与2N3655相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2N3655M STMICROELECTRONICS

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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),16A I(T),TO-208AA
2N3656 POWEREX

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Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 200V V(DRM),
2N3656 STMICROELECTRONICS

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35A, 200V, SCR, TO-48
2N3656 NJSEMI

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Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve
2N3656M STMICROELECTRONICS

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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,200V V(DRM),16A I(T),TO-208AA
2N3657 NJSEMI

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Thyristor SCR 200V 200A 3-Pin(2+Tab) TO-3 Sleeve
2N3657M STMICROELECTRONICS

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SILICON CONTROLLED RECTIFIER,300V V(DRM),16A I(T),TO-208AA
2N3658 NJSEMI

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MAXIMUM ALLOWABLE RATINGS
2N3658 POWEREX

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 16000mA I(T), 400V V(DRM),
2N3658 STMICROELECTRONICS

获取价格

35A, 400V, SCR, TO-48