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2N3655M

更新时间: 2024-01-28 05:48:12
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
6页 232K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,100V V(DRM),16A I(T),TO-208AA

2N3655M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.84标称电路换相断开时间:10 µs
关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us最大直流栅极触发电流:500 mA
最大直流栅极触发电压:4.5 V最大维持电流:350 mA
最大漏电流:6 mA通态非重复峰值电流:180 A
最大通态电流:16000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-60 °C断态重复峰值电压:100 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

2N3655M 数据手册

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