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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W4 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.46 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 0.05 A |
| 基于收集器的最大容量： | 0.85 pF | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-72 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W4 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 4 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1500 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3572 | NJSEMI |
获取价格 |
TO-72 |
|
| 2N3574 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 375UA I(DSS) | TO-72 |
|
| 2N3575 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | P-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 1MA I(DSS) | TO-72 |
|
| 2N3576 | CENTRAL |
获取价格 |
Small Signal Transistors |
|
| 2N3576 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,BJT,PNP,15V V(BR)CEO,200MA I(C),TO-18 |
|
| 2N3576LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2N3578 | NSC |
获取价格 |
TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,4.5MA I(DSS),TO-18 |
|
| 2N3579 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
|
| 2N357A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | TO-5 |
|
| 2N358 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
|
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