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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 25 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 100 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N358 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
|
| 2N3580 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
|
| 2N3581 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
|
| 2N3582 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
|
| 2N3583 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(35W) |
|
| 2N3583 | BOCA |
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COMPLEMENTARY MEDIUM-POWER HIGH VOLTAGE POWER TRANSISTORS |
|
| 2N3583 | MICROSEMI |
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5 Amp, 250V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors |
|
| 2N3583 | CENTRAL |
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Power Transistors |
|
| 2N3583 | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO66 |
|
| 2N3583 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Power Transistor |
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