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2N3584

更新时间： 2024-02-23 15:24:05

品牌	Logo	应用领域
SAVANTIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	115K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2N3584 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-66
包装说明：	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.08	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	250 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	25	JEDEC-95代码：	TO-213AA
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

2N3584 数据手册

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SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2N3584

DESCRIPTION

·With TO-66 package

·Continuous collector current-I_C=2A

·Power dissipation -P_D=35W @T_C=25ꢀ

·V_CE(SAT)=0.75V(Max)@I_C=1A;I_B=0.125A

APPLICATIONS

·High speed switching and linear amplification

·High-voltage operational amplifiers

·Switching regulators ,converters

·Deflection stages and high fidelity amplifers

PINNING (See Fig.2)

PIN

1

DESCRIPTION

Base

2

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol

3

Collector

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

V

375

Open base

250

V

Open collector

6

V

2

A

I_CM

Collector current-Peak

Base current

5

1

A

I_B

A

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

35

W

ꢀ

T_j

200

-65~200

ꢀ

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal resistance junction to case

5.0

ꢀ/W

R_{(th) jc}

12 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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