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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.57 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 |
| JEDEC-95代码： | TO-61 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 117 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3489 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N3489 | NJSEMI |
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Trans GP BJT NPN 100V 7.5A 3-Pin TO-61 |
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| 2N3489E3 | MICROSEMI |
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Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N3490 | APITECH |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 |
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| 2N3490 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 60V 7.5A 3-Pin TO-61 |
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| 2N3491 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 80V 7.5A 3-Pin TO-61 |
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| 2N3491E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N3492 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans GP BJT NPN 100V 7.5A 3-Pin TO-61 |
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| 2N3492E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 7.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, |
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| 2N3494 | RAYTHEON |
获取价格 |
Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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