2N3498

更新时间： 2024-01-19 10:50:07

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	63K
描述
NPN SILICON TRANSISTOR

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2N3498 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	40
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2N3498 数据手册

TECHNICAL DATA

NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 366

Devices

Qualified Level

JAN

2N3498

2N3499

2N3500

2N3501

JANTX

2N3498L

2N3499L

2N3500L

2N3501L

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

2N3498^*2N3500^*

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol 2N3499^*2N3501^*

Unit

Vdc

100

6.0

150

6.0

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Vdc

TO-5*

500

300

mAdc

@ T_A= 25⁰C ⁽¹⁾

@ T_C= 25⁰C ⁽²⁾

1.0

5.0

⁰C

2N3498L, 2N3499L

2N3500L, 2N3501L

Total Power Dissipation

P_T

Operating & Storage Junction Temp. Range

-55 to +200

T_J_,T

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Max.

Unit

Thermal Resistance:

Junction-to-Case

qJC

⁰C/W

TO-39* (TO-205AD)

2N3498, 2N3499

Junction-to-Ambient

175

qJA

*Electrical characteristics for “L” suffix devices are identical to the “non L” corresponding devices

1) Derate linearly 5.71 W/⁰C for T_A> 25⁰C

2N3500, 2N3501

2) Derate linearly 28.6 W/⁰C for T_C> 25⁰C

*See appendix A for

package outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Emitter Breakdown Voltage

I_C= 10 mAdc

100

150

Vdc

2N3498, 2N3499

2N3500, 2N3501

V_(BR)

CEO

Collector-Base Cutoff Current

V_CB= 50 Vdc

V_CB= 75 Vdc

V_CB= 100 Vdc

V_CB= 150 Vdc

hAdc

mAdc

2N3498, 2N3499

2N3500, 2N3501

2N3498, 2N3499

2N3500, 2N3501

I_CBO

Emitter-Base Cutoff Current

V_EB= 4.0 Vdc

V_EB= 6.0 Vdc

hAdc

mAdc

I_EBO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

120101

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

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2N3498 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANS2N3498L	MICROSEMI	类似代替	NPN SILICON TRANSISTOR
JANS2N3498	MICROSEMI	类似代替	NPN SILICON TRANSISTOR
2N3498L	MICROSEMI	功能相似	NPN SILICON TRANSISTOR

与2N3498相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3498_1	MICROSEMI	获取价格	RADIATION HARDENED
2N3498A	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 3-Pin TO-39
2N3498E3	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), NPN
2N3498L	SEMICOA	获取价格	Chip Type 2C3501 Geometry 5620 Polarity NPN
2N3498L	MICROSEMI	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
2N3498LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P
2N3499	SEMICOA	获取价格	Type 2N3499 Geometry 5620 Polarity NPN
2N3499	MICROSEMI	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
2N3499	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors
2N3499	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 100V 0.5A 3-Pin TO-39

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