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2N3499L

更新时间： 2024-01-07 14:06:39

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2页	47K
描述
Type 2N3499L Geometry 5620 Polarity NPN

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2N3499L 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
参考标准：	MIL-19500	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	1150 ns
最大开启时间（吨）：	115 ns

2N3499L 数据手册

Data Sheet No. 2N3499L

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N3499

Type 2N3499L

Geometry 5620

Polarity NPN

Qual Level: JAN - JANTXV

REF: MIL-PRF-19500/366

Features:

General-purpose silicon transistor

for switching and amplifier appli-

cations.

Housed in TO-5 case.

Also available in chip form using

the 5620 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/366 which

Semicoa meets in all cases.

TO-5

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

100

Unit

Collector-Emitter voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base voltage

Collector Current, Continuous

Power Dissipation, T_A= 25^oC

100

6.0

500

5.0

P_D

Derate above 25^oC

mW/^oC

^oC

28.8

T_J

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +200

^oC

T_STG

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与2N3499L相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N3499L_04	SEMICOA	获取价格	Silicon NPN Transistor
2N3499LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 P
2N35	NJSEMI	获取价格	GE NPN LO-PWR BJT
2N350	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 30V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-3
2N3500	SEMICOA	获取价格	Type 2N3500 Geometry 5620 Polarity NPN
2N3500	BOCA	获取价格	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR (NPN SILICON)
2N3500	MICROSEMI	获取价格	NPN SILICON TRANSISTOR
2N3500	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors
2N3500	SEME-LAB	获取价格	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39
2N3500	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 3-Pin TO-39