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2N3500U4E3

更新时间: 2024-09-24 10:27:55
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美高森美 - MICROSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 464K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

2N3500U4E3 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.64外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:150 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):15
JESD-30 代码:R-CBCC-N3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
极性/信道类型:NPN表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):1150 ns最大开启时间(吨):115 ns
Base Number Matches:1

2N3500U4E3 数据手册

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