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2N3501UB

更新时间： 2024-01-18 02:38:05

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SEMICOA		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	92K
描述
Silicon NPN Transistor

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2N3501UB 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.1
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JESD-30 代码：	R-CDSO-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2N3501UB 数据手册

2N3501UB

Silicon NPN Transistor

Data Sheet

Description

Applications

• General purpose

• Low power

• NPN silicon transistor

Semicoa Semiconductors offers:

• Screening and processing per MIL-PRF-19500 Appendix E

• JAN level (2N3501UBJ)

• JANTX level (2N3501UBJX)

• JANTXV level (2N3501UBJV)

• JANS level (2N3501UBJS)

• QCI to the applicable level

• 100% die visual inspection per MIL-STD-750 method

2072 for JANTXV and JANS

• Radiation testing (total dose) upon request

Features

• Hermetically sealed TO-39 metal can

• Also available in chip configuration

• Chip geometry 5620

• Reference document:

MIL-PRF-19500/366

Benefits

• Qualification Levels: JAN, JANTX,

Please contact Semicoa for special configurations

JANTXV and JANS

www.SEMICOA.com or (714) 979-1900

• Radiation testing available

T_C= 25°C unless otherwise specified

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Rating

150

Unit

Volts

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

V_CBO

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

150

Volts

V_EBO

I_C

Collector Current, Continuous

300

Power Dissipation, T_A= 25^OC

3.08

mW/°C

°C/W

P_T

Derate linearly above 25^OC

Thermal Resistance

325

R_θJA

T_J

°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +200

T_STG

Semicoa

Rev. J.2

333 McCormick Avenue, Costa Mesa, California 92626 714.979.1900, FAX 714.557.4541

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