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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N3501LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| 2N3501TV | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 115V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-39 |
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| 2N3501UB | SEMICOA |
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Silicon NPN Transistor |
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| 2N3501UB | MICROSEMI |
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RADIATION HARDENED |
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| 2N3502 | FAIRCHILD |
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Transistor, |
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| 2N3502 | RAYTHEON |
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Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches |
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| 2N3502 | SEME-LAB |
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PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
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| 2N3502 | CENTRAL |
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Small Signal Transistors |
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| 2N3502 | NJSEMI |
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SI PNP LP HF BJT MANUFARURER |
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| 2N3502LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PI |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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