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2N3501L

更新时间： 2024-01-29 16:42:13

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	553K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, TO-39, 3 PIN

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2N3501L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-205AA
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz	Base Number Matches：	1

2N3501L 数据手册

2N3501

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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NPN

BIPOLAR

TRANSISTOR

Features

150 Volts

500mAmps

TO-39 Package

· Meets MIL-S-19500/366

· Collector-Base Voltage 150V

· Collector Current: 500 mA

· Fast Switching 1265 nS

Maximum Ratings

RATING

SYMBOL

MAX.

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current—Continuous

Total Device Dissipation

@ T_A= 25^oC

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

150

6.0

Vdc

300

mAdc

P_D

1.0

5.71

Watt

mW/^oC

Derate above 25^oC

Total Device Dissipation

P_D

@ T_C= 25^oC

5.0

28.6

Watts

mW/^oC

Derate above 25^oC

^oC

Operating Temperature Range

T_J

-55 to

+200

-55 to

+200

175

^oC

Storage Temperature Range

T_S

^oC/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

R_qJA

R_qJC

Mechanical Outline

www.mccsemi.com

Revision: 2

2003/04/30

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与2N3501L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N3501L-BP	MCC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,	获取价格
2N3501LE3	MICROSEMI	Small Signal Bipolar Transistor	获取价格
2N3501LEADFREE	CENTRAL	Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,	获取价格
2N3501TV	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 115V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| TO-39	获取价格
2N3501UB	SEMICOA	Silicon NPN Transistor	获取价格
2N3501UB	MICROSEMI	RADIATION HARDENED	获取价格