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2N3500L

更新时间： 2024-09-22 22:35:51

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SEMICOA		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	47K
描述
Type 2N3500L Geometry 5620 Polarity NPN

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2N3500L 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-5
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.09
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.3 A
集电极-发射极最大电压：	150 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	15	JEDEC-95代码：	TO-5
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
最大关闭时间（toff）：	1150 ns	最大开启时间（吨）：	115 ns
Base Number Matches：	1

2N3500L 数据手册

Data Sheet No. 2N3500L

Ge ne ric Pa rt Numbe r:

2N3500

Type 2N3500L

Geometry 5620

Polarity NPN

Qual Level: JAN - JANTXV

REF: MIL-PRF-19500/366

Features:

General-purpose silicon transistor

for switching and amplifier appli-

cations.

Housed in TO-5 case.

Also available in chip form using

the 5620 chip geometry.

The Min and Max limits shown are

per MIL-PRF-19500/366 which

Semicoa meets in all cases.

TO-5

Maximum Ratings

T_C= 25^oC unless otherwise specified

Rating

Symbol

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Rating

150

Unit

Collector-Emitter voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base voltage

Collector Current, Continuous

Power Dissipation, T_A= 25^oC

150

6.0

300

5.0

P_D

Derate above 25^oC

mW/^oC

^oC

28.8

T_J

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-65 to +200

^oC

T_STG

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